基本参数：温度下线：-150℃，-100℃，-50℃，室温
温度上限： 200℃，400℃，500℃
测试电流：>1pA
电压：< 1000V
电阻：微欧~ 10P欧
测试材料：介质陶瓷，薄膜，金属，半导体等
测试方式：四探针法
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