芯片高温老化寿命试验（HTOL）

 

　　芯片高温老化寿命试验（HTOL）

　　高温老化寿命试验(HTOL)

　　参考标准：JESD22-A108；

　　测试条件：

　　For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

　　Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.

　　Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.

　　TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.

　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。

　　GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：

　　芯片可靠性验证(RA)：

　　芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；

　　温度循环试验(TC),JESD22-A104；

　　温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；

　　高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片静电测试(ESD)：

　　人体放电模式测试(HBM),JS001；

　　元器件充放电模式测试(CDM),JS002；

　　闩锁测试(LU),JESD78；

　　TLP；Surge/EOS/EFT；

　　芯片IC失效分析(FA)：

　　光学检查(VI/OM)；

　　扫描电镜检查(FIB/SEM)

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；Micro-probe;

　　聚焦离子束微观分析(FIB)；

　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。

　　GRGT团队技术能力：

　　集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控

　　集成电路竞品分析、工艺分析

　　芯片级失效分析方案turnkey

　　芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计

　　静电防护失效整改技术建议

　　集成电路可靠性验证

　　材料分析技术支持与方案制定

　　半导体材料分析手法

　　芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。

　　芯片高温老化寿命试验：

　　GRGT张经理186-2090+8348；

　　zhanghp grgtest.com

原文链接：http://www.knots.cn/hangqing/show-25509.html，转载和复制请保留此链接。
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