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汽车芯片FT测试、三温测试

   日期:2021-06-12     浏览:11    评论:0    
核心提示:芯片FT测试,三温测试  芯片FT测试(Final Test简称FT)是指芯片在封装完成后以及在芯片成品完成可靠性验证后对芯片进行测功能
 芯片FT测试,三温测试
  芯片FT测试(Final Test简称FT)是指芯片在封装完成后以及在芯片成品完成可靠性验证后对芯片进行测功能验证、电参数测试。主要的测试依据是集成电路规范、芯片规格书、用户手册。
  目前芯片FT测试主要用到ATE测试系统,包括软件和测试设备、测试硬件。
  FT测试主要测试项目如下:
  Open/Short test:检查芯片引脚中是否有开路或短路。
  Function test:测试芯片的逻辑功能。
  DC test:验证器件直流电流和电压参数。
  AC test:验证交流规格,包括交流输出信号的质量和信号时序参数。
  Eflash test:测试内嵌flash的功能及性能,包含读写擦除动作及功耗和速度等各种参数。
  Mixed Signal test:验证DUT数模混合电路的功能及性能参数。
  RF test:测试芯片里面RF模块的功能及性能参数。
  广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)始建于1964年,是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
  我司芯片可靠性验证测试能力如下:
  芯片可靠性验证(RA):
  芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113;
  高温存储试验(HTSL),JESD22-A103;
  温度循环试验(TC),JESD22-A104;
  温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101;
  高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110;
  高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108;
  芯片静电测试(ESD):
  人体放电模式测试(HBM),JS001;
  元器件充放电模式测试(CDM),JS002;
  闩锁测试(LU),JESD78;
  TLP;Surge/EOS/EFT;
  芯片IC失效分析(FA):
  光学检查(VI/OM);
  扫描电镜检查(FIB/SEM);
  微光分析定位(EMMI/InGaAs);
  OBIRCH;
  Micro-probe;
  广电计量从1964年开始从事计量检定工作,是原信息产业部电力602计量站,历经五十余年的技术沉淀,持续变化创新,实现跨越式发展,成?为?家全国性、综合化、军?融合的国有第三?计量检测机构,专业提供计量校准、产品检测及认证、分析评价、咨询培训、检测装备及软件系统研发等技术服务和产品,获得了CNAS、DILAC、CMA、CATL,以及“军工四证”等政府和行业众多权威机构的认可资质。
  元器件筛选业务联系:张经理:186-2090+8348;
  邮箱:zhanghp grgtest.com
 
原文链接:http://www.knots.cn/news/show-57103.html,转载和复制请保留此链接。
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